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2N6766T1

2N6766T1

MOSFET N-CH 200V TO-254AA
Artikelnummer
2N6766T1
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads)
Gerätepaket des Lieferanten
TO-254AA
Verlustleistung (max.)
4W (Ta), 150W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
90 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
115nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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