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1N5811US
DIODE GEN PURP 150V 3A B-MELF
Artikelnummer
1N5811US
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
SQ-MELF, B
Gerätepaket des Lieferanten
B, SQ-MELF
Diodentyp
Standard
Strom – Durchschnittlich gleichgerichtet (Io)
3A
Spannung – Vorwärts (Vf) (Max) @ If
875mV @ 4A
Strom – Rückwärtsleckage bei Vr
5µA @ 50V
Spannung – DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)
150V
Geschwindigkeit
Fast Recovery = 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)
30ns
Betriebstemperatur – Verbindungsstelle
-65°C ~ 175°C
Kapazität @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
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