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IXFH6N100F

MOSFET N-CH 1000V 6A TO247

Artikelnummer

IXFH6N100F

Hersteller/Marke

IXYS-RF

Serie

HiPerRF™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247 (IXFH)

Verlustleistung (max.)

180W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.9 Ohm @ 3A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

54nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1770pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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