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IXTY1R6N100D2

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Artikelnummer

IXTY1R6N100D2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252, (D-Pak)

Verlustleistung (max.)

100W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.6A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10 Ohm @ 800mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

645pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

±20V

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