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IXTY1R4N60P

MOSFET N-CH 600V 1.4A D-PAK

Artikelnummer

IXTY1R4N60P

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

PolarHV™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Gerätepaket des Lieferanten

TO-252, (D-Pak)

Verlustleistung (max.)

50W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1.4A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

9 Ohm @ 700mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 25µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

5.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

140pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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