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IXTY08N50D2
MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
Artikelnummer
IXTY08N50D2
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten
TO-252, (D-Pak)
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Depletion Mode
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
800mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6 Ohm @ 400mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.7nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
312pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
-
Vgs (Max)
±20V
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