Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXTU2N80P
MOSFET N-CH TO-251
Artikelnummer
IXTU2N80P
Hersteller/Marke
Serie
PolarHV™
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-251
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
440pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 27281 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXTU2N80P
IXTU2N80P Elektronische Komponenten
IXTU2N80P Verkäufe
IXTU2N80P Anbieter
IXTU2N80P Verteiler
IXTU2N80P Datentabelle
IXTU2N80P Fotos
IXTU2N80P Preis
IXTU2N80P Angebot
IXTU2N80P Geringster Preis
IXTU2N80P Suchen
IXTU2N80P Einkauf
IXTU2N80P Chip