Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXTQ30N60P
MOSFET N-CH 600V 30A TO-3P
Artikelnummer
IXTQ30N60P
Hersteller/Marke
Serie
PolarHV™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3P
Verlustleistung (max.)
540W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
240 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
82nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5050pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 30483 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXTQ30N60P
IXTQ30N60P Elektronische Komponenten
IXTQ30N60P Verkäufe
IXTQ30N60P Anbieter
IXTQ30N60P Verteiler
IXTQ30N60P Datentabelle
IXTQ30N60P Fotos
IXTQ30N60P Preis
IXTQ30N60P Angebot
IXTQ30N60P Geringster Preis
IXTQ30N60P Suchen
IXTQ30N60P Einkauf
IXTQ30N60P Chip