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IXTQ22N50P
MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P
Artikelnummer
IXTQ22N50P
Hersteller/Marke
Serie
PolarHV™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-3P
Verlustleistung (max.)
350W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
270 mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2630pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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