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IXTQ200N10T

MOSFET N-CH 100V 200A TO-3P

Artikelnummer

IXTQ200N10T

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

TrenchMV™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-3P-3, SC-65-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-3P

Verlustleistung (max.)

550W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

200A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.5 mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

152nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

9400pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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