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IXTP6N100D2
MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Artikelnummer
IXTP6N100D2
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
Depletion Mode
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 Ohm @ 3A, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2650pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
-
Vgs (Max)
±20V
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