Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXTP60N10T
MOSFET N-CH 100V 60A TO-220
Artikelnummer
IXTP60N10T
Hersteller/Marke
Serie
TrenchMV™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
176W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2650pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 43581 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXTP60N10T
IXTP60N10T Elektronische Komponenten
IXTP60N10T Verkäufe
IXTP60N10T Anbieter
IXTP60N10T Verteiler
IXTP60N10T Datentabelle
IXTP60N10T Fotos
IXTP60N10T Preis
IXTP60N10T Angebot
IXTP60N10T Geringster Preis
IXTP60N10T Suchen
IXTP60N10T Einkauf
IXTP60N10T Chip