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IXTP3N60P

IXTP3N60P

MOSFET N-CH 600V 3A TO-220
Artikelnummer
IXTP3N60P
Hersteller/Marke
Serie
PolarHV™
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
70W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 50µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
9.8nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
411pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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