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IXTP2R4N120P
MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO-220
Artikelnummer
IXTP2R4N120P
Hersteller/Marke
Serie
Polar™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
1207pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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