Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXTP1R4N60P

IXTP1R4N60P

MOSFET N-CH 600V 1.4A TO-220
Artikelnummer
IXTP1R4N60P
Hersteller/Marke
Serie
PolarHV™
Teilestatus
Obsolete
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9 Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
140pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 14058 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXTP1R4N60P
IXTP1R4N60P Elektronische Komponenten
IXTP1R4N60P Verkäufe
IXTP1R4N60P Anbieter
IXTP1R4N60P Verteiler
IXTP1R4N60P Datentabelle
IXTP1R4N60P Fotos
IXTP1R4N60P Preis
IXTP1R4N60P Angebot
IXTP1R4N60P Geringster Preis
IXTP1R4N60P Suchen
IXTP1R4N60P Einkauf
IXTP1R4N60P Chip