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IXTK17N120L
MOSFET N-CH 1200V 17A TO-264
Artikelnummer
IXTK17N120L
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-264 (IXTK)
Verlustleistung (max.)
700W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 8.5A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
155nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
8300pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
20V
Vgs (Max)
±30V
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