Kaufen IXYS IXTH3N120 MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247

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IXTH3N120

MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247

Artikelnummer

IXTH3N120

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247 (IXTH)

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

3A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

39nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

1300pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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