Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXTH36P10
MOSFET P-CH 100V 36A TO-247
Artikelnummer
IXTH36P10
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
P-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
95nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2800pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 24627 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXTH36P10
IXTH36P10 Elektronische Komponenten
IXTH36P10 Verkäufe
IXTH36P10 Anbieter
IXTH36P10 Verteiler
IXTH36P10 Datentabelle
IXTH36P10 Fotos
IXTH36P10 Preis
IXTH36P10 Angebot
IXTH36P10 Geringster Preis
IXTH36P10 Suchen
IXTH36P10 Einkauf
IXTH36P10 Chip