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IXTH2N170D2

MOSFET N-CH 1700V 2A TO-247

Artikelnummer

IXTH2N170D2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247 (IXTH)

Verlustleistung (max.)

568W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1700V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5 Ohm @ 1A, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

110nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3650pF @ 10V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

±20V

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