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IXTH1N170DHV

MOSFET N-CH

Artikelnummer

IXTH1N170DHV

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3 Variant

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247HV

Verlustleistung (max.)

290W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Depletion Mode

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1700V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

1A (Tj)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

16 Ohm @ 500mA, 0V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

47nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3090pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

Vgs (Max)

±20V

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