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IXTH110N10L2

MOSFET N-CH 100V 110A TO-247

Artikelnummer

IXTH110N10L2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Linear L2™

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247 (IXTH)

Verlustleistung (max.)

600W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

100V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

110A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

10500pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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