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IXTH110N10L2

IXTH110N10L2

MOSFET N-CH 100V 110A TO-247
Artikelnummer
IXTH110N10L2
Hersteller/Marke
Serie
Linear L2™
Teilestatus
Active
Verpackung
Bulk
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
260nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
10500pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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