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IXTA2N80

MOSFET N-CH 800V 2A TO-263

Artikelnummer

IXTA2N80

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

Teilestatus

Active

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Gerätepaket des Lieferanten

TO-263 (IXTA)

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

800V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

2A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.2 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

440pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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