Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXTA2N100
MOSFET N-CH 1000V 2A TO-263
Artikelnummer
IXTA2N100
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263 (IXTA)
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7 Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
825pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 37964 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXTA2N100
IXTA2N100 Elektronische Komponenten
IXTA2N100 Verkäufe
IXTA2N100 Anbieter
IXTA2N100 Verteiler
IXTA2N100 Datentabelle
IXTA2N100 Fotos
IXTA2N100 Preis
IXTA2N100 Angebot
IXTA2N100 Geringster Preis
IXTA2N100 Suchen
IXTA2N100 Einkauf
IXTA2N100 Chip