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IXTA24N65X2
MOSFET N-CH
Artikelnummer
IXTA24N65X2
Hersteller/Marke
Serie
-
Teilestatus
Active
Verpackung
-
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263AA
Verlustleistung (max.)
390W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
145 mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2060pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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