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IXTA110N12T2
120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
Artikelnummer
IXTA110N12T2
Hersteller/Marke
Serie
TrenchT2™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gerätepaket des Lieferanten
TO-263 (IXTA)
Verlustleistung (max.)
517W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
120V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
14 mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
120nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
6570pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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