Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFX52N60Q2

IXFX52N60Q2

MOSFET N-CH 600V 52A PLUS247
Artikelnummer
IXFX52N60Q2
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
PLUS247™-3
Verlustleistung (max.)
735W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
198nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
6800pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 23352 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXFX52N60Q2
IXFX52N60Q2 Elektronische Komponenten
IXFX52N60Q2 Verkäufe
IXFX52N60Q2 Anbieter
IXFX52N60Q2 Verteiler
IXFX52N60Q2 Datentabelle
IXFX52N60Q2 Fotos
IXFX52N60Q2 Preis
IXFX52N60Q2 Angebot
IXFX52N60Q2 Geringster Preis
IXFX52N60Q2 Suchen
IXFX52N60Q2 Einkauf
IXFX52N60Q2 Chip