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IXFX32N100P

MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247

Artikelnummer

IXFX32N100P

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

PLUS247™-3

Verlustleistung (max.)

960W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

32A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320 mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

225nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

14200pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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