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IXFX26N60Q

MOSFET N-CH 600V 26A PLUS 247

Artikelnummer

IXFX26N60Q

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™

Teilestatus

Last Time Buy

Verpackung

Bulk

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

PLUS247™-3

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

250 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 4mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

200nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

5100pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±20V

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