Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFX25N90
MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247
Artikelnummer
IXFX25N90
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
PLUS247™-3
Verlustleistung (max.)
560W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
900V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
330 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
240nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
10800pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 23956 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFX25N90
IXFX25N90 Elektronische Komponenten
IXFX25N90 Verkäufe
IXFX25N90 Anbieter
IXFX25N90 Verteiler
IXFX25N90 Datentabelle
IXFX25N90 Fotos
IXFX25N90 Preis
IXFX25N90 Angebot
IXFX25N90 Geringster Preis
IXFX25N90 Suchen
IXFX25N90 Einkauf
IXFX25N90 Chip