Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFX20N120
MOSFET N-CH 1200V 20A ISOPLUS247
Artikelnummer
IXFX20N120
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
PLUS247™-3
Verlustleistung (max.)
780W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
160nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
7400pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 21011 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFX20N120
IXFX20N120 Elektronische Komponenten
IXFX20N120 Verkäufe
IXFX20N120 Anbieter
IXFX20N120 Verteiler
IXFX20N120 Datentabelle
IXFX20N120 Fotos
IXFX20N120 Preis
IXFX20N120 Angebot
IXFX20N120 Geringster Preis
IXFX20N120 Suchen
IXFX20N120 Einkauf
IXFX20N120 Chip