Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFX170N20T
MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247
Artikelnummer
IXFX170N20T
Hersteller/Marke
Serie
GigaMOS™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-247-3
Gerätepaket des Lieferanten
PLUS247™-3
Verlustleistung (max.)
1150W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
19600pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 17170 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFX170N20T
IXFX170N20T Elektronische Komponenten
IXFX170N20T Verkäufe
IXFX170N20T Anbieter
IXFX170N20T Verteiler
IXFX170N20T Datentabelle
IXFX170N20T Fotos
IXFX170N20T Preis
IXFX170N20T Angebot
IXFX170N20T Geringster Preis
IXFX170N20T Suchen
IXFX170N20T Einkauf
IXFX170N20T Chip