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IXFV18N60P

MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220

Artikelnummer

IXFV18N60P

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarHT™

Teilestatus

Obsolete

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-220-3, Short Tab

Gerätepaket des Lieferanten

PLUS220

Verlustleistung (max.)

360W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

600V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

18A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400 mOhm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 2.5mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

50nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

2500pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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