Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFT80N20Q

IXFT80N20Q

MOSFET N-CH 200V 80A TO-268
Artikelnummer
IXFT80N20Q
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-268
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
28 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
180nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4600pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 21778 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXFT80N20Q
IXFT80N20Q Elektronische Komponenten
IXFT80N20Q Verkäufe
IXFT80N20Q Anbieter
IXFT80N20Q Verteiler
IXFT80N20Q Datentabelle
IXFT80N20Q Fotos
IXFT80N20Q Preis
IXFT80N20Q Angebot
IXFT80N20Q Geringster Preis
IXFT80N20Q Suchen
IXFT80N20Q Einkauf
IXFT80N20Q Chip