Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFT6N100Q

IXFT6N100Q

MOSFET N-CH 1000V 6A TO-268
Artikelnummer
IXFT6N100Q
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-268
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.9 Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 2.5mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
2200pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 16612 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXFT6N100Q
IXFT6N100Q Elektronische Komponenten
IXFT6N100Q Verkäufe
IXFT6N100Q Anbieter
IXFT6N100Q Verteiler
IXFT6N100Q Datentabelle
IXFT6N100Q Fotos
IXFT6N100Q Preis
IXFT6N100Q Angebot
IXFT6N100Q Geringster Preis
IXFT6N100Q Suchen
IXFT6N100Q Einkauf
IXFT6N100Q Chip