Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFT58N20Q
MOSFET N-CH 200V 58A TO-268
Artikelnummer
IXFT58N20Q
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-268
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 29A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
140nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
3600pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 7394 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFT58N20Q
IXFT58N20Q Elektronische Komponenten
IXFT58N20Q Verkäufe
IXFT58N20Q Anbieter
IXFT58N20Q Verteiler
IXFT58N20Q Datentabelle
IXFT58N20Q Fotos
IXFT58N20Q Preis
IXFT58N20Q Angebot
IXFT58N20Q Geringster Preis
IXFT58N20Q Suchen
IXFT58N20Q Einkauf
IXFT58N20Q Chip