Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFT50N20
MOSFET N-CH 200V 50A TO-268
Artikelnummer
IXFT50N20
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-268
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
220nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4400pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 24998 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFT50N20
IXFT50N20 Elektronische Komponenten
IXFT50N20 Verkäufe
IXFT50N20 Anbieter
IXFT50N20 Verteiler
IXFT50N20 Datentabelle
IXFT50N20 Fotos
IXFT50N20 Preis
IXFT50N20 Angebot
IXFT50N20 Geringster Preis
IXFT50N20 Suchen
IXFT50N20 Einkauf
IXFT50N20 Chip