Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFT36N50P
MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3
Artikelnummer
IXFT36N50P
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-268
Verlustleistung (max.)
540W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
93nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
5500pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 41075 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFT36N50P
IXFT36N50P Elektronische Komponenten
IXFT36N50P Verkäufe
IXFT36N50P Anbieter
IXFT36N50P Verteiler
IXFT36N50P Datentabelle
IXFT36N50P Fotos
IXFT36N50P Preis
IXFT36N50P Angebot
IXFT36N50P Geringster Preis
IXFT36N50P Suchen
IXFT36N50P Einkauf
IXFT36N50P Chip