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IXFT20N100P

MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268

Artikelnummer

IXFT20N100P

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Surface Mount

Paket/Koffer

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-268

Verlustleistung (max.)

660W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

20A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

570 mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

7300pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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