Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFT15N80Q
MOSFET N-CH 800V 15A TO-268
Artikelnummer
IXFT15N80Q
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Surface Mount
Paket/Koffer
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-268
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600 mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
4300pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 31281 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFT15N80Q
IXFT15N80Q Elektronische Komponenten
IXFT15N80Q Verkäufe
IXFT15N80Q Anbieter
IXFT15N80Q Verteiler
IXFT15N80Q Datentabelle
IXFT15N80Q Fotos
IXFT15N80Q Preis
IXFT15N80Q Angebot
IXFT15N80Q Geringster Preis
IXFT15N80Q Suchen
IXFT15N80Q Einkauf
IXFT15N80Q Chip