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IXFP5N50PM

IXFP5N50PM

MOSFET N-CH 500V 3.2A TO-220
Artikelnummer
IXFP5N50PM
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™, PolarHT™
Teilestatus
Last Time Buy
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12.6nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
620pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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