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IXFP5N50P3

IXFP5N50P3

MOSFET N-CH 500V 5A TO-220
Artikelnummer
IXFP5N50P3
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™, Polar3™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-220-3
Gerätepaket des Lieferanten
TO-220AB
Verlustleistung (max.)
114W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.65 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
6.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
370pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
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