Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFL38N100P

IXFL38N100P

MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK
Artikelnummer
IXFL38N100P
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™, PolarP2™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
ISOPLUSi5-Pak™
Gerätepaket des Lieferanten
ISOPLUSi5-Pak™
Verlustleistung (max.)
520W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
230 mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
350nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
24000pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 19187 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXFL38N100P
IXFL38N100P Elektronische Komponenten
IXFL38N100P Verkäufe
IXFL38N100P Anbieter
IXFL38N100P Verteiler
IXFL38N100P Datentabelle
IXFL38N100P Fotos
IXFL38N100P Preis
IXFL38N100P Angebot
IXFL38N100P Geringster Preis
IXFL38N100P Suchen
IXFL38N100P Einkauf
IXFL38N100P Chip