Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFK80N65X2
MOSFET N-CH 650V 80A TO-264
Artikelnummer
IXFK80N65X2
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-264
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40 mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
143nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
8245pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±30V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 14146 PCS
Kontaktinformationen
Verwandte Produkte
Schlüsselwörter von IXFK80N65X2
IXFK80N65X2 Elektronische Komponenten
IXFK80N65X2 Verkäufe
IXFK80N65X2 Anbieter
IXFK80N65X2 Verteiler
IXFK80N65X2 Datentabelle
IXFK80N65X2 Fotos
IXFK80N65X2 Preis
IXFK80N65X2 Angebot
IXFK80N65X2 Geringster Preis
IXFK80N65X2 Suchen
IXFK80N65X2 Einkauf
IXFK80N65X2 Chip