Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFK360N10T

IXFK360N10T

MOSFET N-CH 100V 360A TO-264
Artikelnummer
IXFK360N10T
Hersteller/Marke
Serie
GigaMOS™ HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-264AA (IXFK)
Verlustleistung (max.)
1250W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 3mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
525nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
33000pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 26867 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXFK360N10T
IXFK360N10T Elektronische Komponenten
IXFK360N10T Verkäufe
IXFK360N10T Anbieter
IXFK360N10T Verteiler
IXFK360N10T Datentabelle
IXFK360N10T Fotos
IXFK360N10T Preis
IXFK360N10T Angebot
IXFK360N10T Geringster Preis
IXFK360N10T Suchen
IXFK360N10T Einkauf
IXFK360N10T Chip