Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFK27N80

IXFK27N80

MOSFET N-CH 800V 27A TO-264AA
Artikelnummer
IXFK27N80
Hersteller/Marke
Serie
HiPerFET™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-264AA (IXFK)
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
400nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
9740pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 50136 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXFK27N80
IXFK27N80 Elektronische Komponenten
IXFK27N80 Verkäufe
IXFK27N80 Anbieter
IXFK27N80 Verteiler
IXFK27N80 Datentabelle
IXFK27N80 Fotos
IXFK27N80 Preis
IXFK27N80 Angebot
IXFK27N80 Geringster Preis
IXFK27N80 Suchen
IXFK27N80 Einkauf
IXFK27N80 Chip