Kaufen IXYS IXFK26N100P MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IXFK26N100P

MOSFET N-CH 1000V 26A TO-264

Artikelnummer

IXFK26N100P

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™, PolarP2™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-264-3, TO-264AA

Gerätepaket des Lieferanten

TO-264AA (IXFK)

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1000V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

26A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

390 mOhm @ 13A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

6.5V @ 1mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

197nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

11900pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 45062 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

IXFK100N10

MOSFET N-CH 100V 100A TO-264AA