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IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO-264
Artikelnummer
IXFK180N25T
Hersteller/Marke
Serie
GigaMOS™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-264AA (IXFK)
Verlustleistung (max.)
1390W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.9 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
345nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
28000pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
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