Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.
IXFK120N30T

IXFK120N30T

MOSFET N-CH 300V 120A TO-264
Artikelnummer
IXFK120N30T
Hersteller/Marke
Serie
GigaMOS™
Teilestatus
Active
Verpackung
Tube
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart
Through Hole
Paket/Koffer
TO-264-3, TO-264AA
Gerätepaket des Lieferanten
TO-264AA (IXFK)
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
FET-Typ
N-Channel
FET-Funktion
-
Drain-Source-Spannung (Vdss)
300V
Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C
120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
265nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds
20000pF @ 25V
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)
10V
Vgs (Max)
±20V
Angebot anfordern
Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.
Auf Lager 41386 PCS
Kontaktinformationen
Schlüsselwörter von IXFK120N30T
IXFK120N30T Elektronische Komponenten
IXFK120N30T Verkäufe
IXFK120N30T Anbieter
IXFK120N30T Verteiler
IXFK120N30T Datentabelle
IXFK120N30T Fotos
IXFK120N30T Preis
IXFK120N30T Angebot
IXFK120N30T Geringster Preis
IXFK120N30T Suchen
IXFK120N30T Einkauf
IXFK120N30T Chip