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IXFH60N65X2

MOSFET N-CH 650V 60A TO-247

Artikelnummer

IXFH60N65X2

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

Verlustleistung (max.)

780W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

650V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

60A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5.5V @ 4mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

107nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

6180pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

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