Kaufen IXYS IXFH12N120 MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247

Das Bild kann eine Darstellung sein.
Siehe Spezifikationen für Produktdetails.

Weitere Informationen anzeigen Datenblätter

IXFH12N120

MOSFET N-CH 1200V 12A TO-247

Artikelnummer

IXFH12N120

Hersteller/Marke

IXYS

Serie

HiPerFET™

Teilestatus

Active

Verpackung

Tube

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Befestigungsart

Through Hole

Paket/Koffer

TO-247-3

Gerätepaket des Lieferanten

TO-247AD (IXFH)

Verlustleistung (max.)

500W (Tc)

FET-Typ

N-Channel

FET-Funktion

Drain-Source-Spannung (Vdss)

1200V

Strom – Dauerentladung (Id) bei 25 °C

12A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.4 Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 4mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

95nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds

3400pF @ 25V

Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)

10V

Vgs (Max)

±30V

Angebot anfordern

Bitte füllen Sie alle erforderlichen Felder aus und klicken Sie auf „SENDEN“. Wir werden Sie innerhalb von 12 Stunden per E-Mail kontaktieren. Wenn Sie ein Problem haben, hinterlassen Sie bitte eine Nachricht oder senden Sie eine E-Mail an [email protected], wir werden so schnell wie möglich antworten.

Auf Lager 15875 PCS

Kontaktinformationen

Verwandte Produkte

IXFH100N25P

MOSFET N-CH 250V 100A TO-247